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4000A功率器件靜態參數測試系統集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態參數,電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢一八一四零六六三四七六
普賽斯以自主研發為導向,深耕半導體測試領域,在I-V測試上積累了豐富的經驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備,廣泛應用于高校研究所、實驗室,新能源,光伏,風電,軌交,變頻器等場景。
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產品特點
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高電壓:支持高達3KV高電壓測試;
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大電流:支持高達4KA大電流測試;
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高精度:支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量;
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豐富模板:內置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數;
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配置導出:支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能;
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數據預覽及導出:支持圖形界面以及表格展示測試結果,亦可一鍵導出;
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模塊化設計:內部采用模塊化結構設計,可自由配置,方便維護;
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可拓展:支持拓展溫控功能,方便監控系統運行溫度;
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可定制開發:可根據用戶測試場景定制化開發;
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技術指標
PMST系統配置 |
關鍵參數 |
備注 |
P系列 |
PW高達30V/10A、300V/1A |
柵極特性測試 |
CW高達300V/0.1A、30V/1A |
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最小脈沖寬度200uS |
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HCP系列 |
PW高達30V/100A |
IGBT導通壓降、二極管瞬時前向電壓測試 |
CW高達10V/30A |
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最小分辨率30uV/10pA |
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最小脈沖寬度80uS |
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HCPL系列 |
單臺PW高達12V/1000A,可多臺并聯 |
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最小脈沖寬度50uS |
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E系列 |
CW高達3000V/100mA |
IGBT擊穿電壓測試 |
最小分辨率10mV/100pA |
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測量精度 0.1% |
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電橋 |
頻率范圍:20Hz~1MHz |
IGBT各級間電壓測試 |
HVP系列提供0~400V直流偏置電壓 |
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預置偏置電阻100kΩ |
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矩陣開關 |
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電路切換及源表切換 |
主機 |
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測試夾具 |
根據器件封裝形式定制 |
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產品應用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;